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IGBT并聯技術一-IGBT均流問題

 IGBT并聯均流分類

IGBT并聯均流

  • 影響靜態均流的因素

1、并聯IGBT的直流母線側連接點的電阻分量,因此需要盡量對稱凤凰彩票平台登录_凤凰彩票平台注册;
2、IGBT芯片的Vce(sat)和二極管芯片的VF的差異,因此盡量采取同一批次的產品。
3、IGBT模塊所處的溫度差異凤凰彩票平台登录_凤凰彩票平台注册,設計機械結構及風道時需要考慮;
4、IGBT模塊所處的磁場差異;
5、柵極電壓Vge的差異。

IGBT芯片的Vce(sat)和二極管芯片的VF的差異

  • 影響動態均流的因素

1、IGBT模塊的開通門檻電壓VGEth的差異,VGEth越高,IGBT開通時刻越晚凤凰彩票平台登录_凤凰彩票平台注册,不同模塊會有差異;
2、每個并聯的IGBT模塊的直流母線雜散電感L的差異;
3、門極電壓Vge的差異;
4、門極回路中的雜散電感量的差異凤凰彩票平台登录_凤凰彩票平台注册;
5、IGBT模塊所處溫度的差異;
6、IGBT模塊所處的磁場的差異。

IGBT模塊的開通門檻電壓VGEth的差異

  • IGBT芯片溫度對均流的影響

IGBT芯片的溫度對于動態均流性能和靜態均流性能影響很大:

1、由于IGBT的Vcesat的正溫度系數特性,使溫度高的芯片的Vcesat更高,會分得較少的電流,因此形成了一個負反饋凤凰彩票平台登录_凤凰彩票平台注册,使靜態均流趨于收斂;
2、根據我們的經驗凤凰彩票平台登录_凤凰彩票平台注册,我們發現,芯片溫度變高后,動態均流的性能也會變好;例如在測試動態均流時凤凰彩票平台登录_凤凰彩票平台注册,我們會使用雙脈沖測試方法,但這時芯片是處于冷態的凤凰彩票平台登录_凤凰彩票平台注册,當把機器跑起來后,動態均流會改善。

  • IGBT芯片所處的磁場對均流的影響

IGBT模塊附近如果有強磁場凤凰彩票平台登录_凤凰彩票平台注册,則模塊的均流會受到影響凤凰彩票平台登录_凤凰彩票平台注册。

1、如果兩個IGBT模塊并聯且并列安裝,如果交流排的輸出電纜在擺放時靠近其中某一個IGBT模塊而遠離另外一個凤凰彩票平台登录_凤凰彩票平台注册凤凰彩票平台登录_凤凰彩票平台注册,則均流性能就會出問題凤凰彩票平台登录_凤凰彩票平台注册凤凰彩票平台登录_凤凰彩票平台注册;
2、以上現象的原因是某個大電流在導線上流動時會產生磁場凤凰彩票平台登录_凤凰彩票平台注册,對磁場內的其他導通的電流產生“擠出”或“吸引”的效應;

因此,在結構設計時,需要注意交流排出線的走線形式,以免發生磁場的干涉現象。

 

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