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CREE Sic MOSFET

科銳(Cree)發布第二代碳化硅MOSFET,相比硅材料的解決方案,它可以使系統變得更小,效率更高。在相同的功率密度和開關效率的條件下凤凰彩票平台登录_凤凰彩票平台注册,比科銳(Cree)第一代MOSFET產品每安培成本下降一半。從這個角度說凤凰彩票平台登录_凤凰彩票平台注册,它可以降低OEM的系統成本,終端用戶的能耗和安裝運輸成本。

第二代碳化硅MOSFET具有高開關速度低寄生電容,高阻斷電壓低導通電阻正溫度系數凤凰彩票平台登录_凤凰彩票平台注册凤凰彩票平台登录_凤凰彩票平台注册,易于并聯凤凰彩票平台登录_凤凰彩票平台注册,驅動簡單等特點,廣泛用于光伏凤凰彩票平台登录_凤凰彩票平台注册,開關電源,高壓DCDC變換器,電機驅動等領域;

目前,科銳(Cree)發布的碳化硅MOSFET電壓等級有1200V,1700V凤凰彩票平台登录_凤凰彩票平台注册,單管型號的導通電阻分別為25mΩ,40mΩ凤凰彩票平台登录_凤凰彩票平台注册,80mΩ,160mΩ凤凰彩票平台登录_凤凰彩票平台注册,280mΩ,1Ω;同時科銳(Cree)還發布的碳化硅MOSFET模塊,詳細情況請聯系我們。

1700-V 1200-V SiC MOSFET Packaged 1200-V SiC MOSFET Die
Packaged Die
C2M1000170D New! CPM2-1200-0025B
C2M0080120D CPM2-1200-0080B
C2M0160120D New! CPMF-1200-S080B
CMF10120D CPMF-1200-S160B
CMF20120D  
C2M0025120D  
C2M0040120D  
C2M0280120D  
C2M1000170D

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